domov
O nas
O podjetju
pogosta vprašanja
Izdelki
Prevleka iz tantalovega karbida
SIC enojni proces rasti kristalov rezervni deli
Postopek epitaksije SiC
UV LED sprejemnik
Prevleka iz silicijevega karbida
Trden silicijev karbid
Silikonska epitaksija
Epitaksija iz silicijevega karbida
Tehnologija MOCVD
Postopek RTA/RTP
Postopek jedkanja ICP/PSS
Drugi postopek
ALD
Poseben grafit
Pirolitični karbonski premaz
Prevleka iz steklastega ogljika
Porozni grafit
Izotropni grafit
Silikoniziran grafit
Grafitna plošča visoke čistosti
Ogljikova vlakna
C/C kompozit
Trda klobučevina
Mehka klobučevina
Keramika iz silicijevega karbida
SiC prah visoke čistosti
Oksidacijska in difuzijska peč
Druga polprevodniška keramika
Polprevodniški kremen
Keramika aluminijevega oksida
Silicijev nitrid
Porozni SiC
Vafelj
Tehnologija površinske obdelave
Tehnična služba
Novice
Novice podjetja
Novice o industriji
Prenesi
Prenesi
Pošlji povpraševanje
Kontaktirajte nas
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
Spletni meni
domov
O nas
O podjetju
pogosta vprašanja
Izdelki
Prevleka iz tantalovega karbida
SIC enojni proces rasti kristalov rezervni deli
Postopek epitaksije SiC
UV LED sprejemnik
Prevleka iz silicijevega karbida
Trden silicijev karbid
Silikonska epitaksija
Epitaksija iz silicijevega karbida
Tehnologija MOCVD
Postopek RTA/RTP
Postopek jedkanja ICP/PSS
Drugi postopek
ALD
Poseben grafit
Pirolitični karbonski premaz
Prevleka iz steklastega ogljika
Porozni grafit
Izotropni grafit
Silikoniziran grafit
Grafitna plošča visoke čistosti
Ogljikova vlakna
C/C kompozit
Trda klobučevina
Mehka klobučevina
Keramika iz silicijevega karbida
SiC prah visoke čistosti
Oksidacijska in difuzijska peč
Druga polprevodniška keramika
Polprevodniški kremen
Keramika aluminijevega oksida
Silicijev nitrid
Porozni SiC
Vafelj
Tehnologija površinske obdelave
Tehnična služba
Novice
Novice podjetja
Novice o industriji
Prenesi
Prenesi
Pošlji povpraševanje
Kontaktirajte nas
Iskanje izdelkov
Jezik
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
Izhod iz menija
domov
Prenesi
Prenesi
Več podrobnosti o parametrih izdelkov, obsežnejša tehnična navodila si oglejte našo datoteko PDF ali nas kontaktirajte neposredno.
Prenesi
Politika VeTek Semiconductor glede varnosti, zdravja in okolja
Vetek Semiconductor
SiC prah visoke čistosti
«
1
»
Novice Priporočila
Kakšne so razlike med tehnologijami MBE in MOCVD?
Poglej več >>
Zakaj je sic prevleka ključni osnovni material za sic epitaksialno rast?
Poglej več >>
Kaj je tac prevleka? - Vetek Semiconductor
Poglej več >>
Zakaj je prevleka SiC deležna toliko pozornosti? - VeTek Semiconductor
Poglej več >>
Kaj je Tantalum Carbide (TAC)?
Poglej več >>
Načela in tehnologija fizičnega odlaganja hlapov (PVD) (2/2) - Vetek Semiconductor
Poglej več >>
WhatsApp
Tina
TradeManager
Teams
E-mail
Andy
VeTek
VKontakte
QQ
Wechat
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
Reject
Accept
Pustite sporočilo, da prenesete našo brošuro
predložiti