domov
O nas
O podjetju
pogosta vprašanja
Izdelki
Prevleka iz tantalovega karbida
SIC enojni proces rasti kristalov rezervni deli
Postopek epitaksije SiC
UV LED sprejemnik
Prevleka iz silicijevega karbida
Trden silicijev karbid
Silicijeva epitaksija
Epitaksi silicijevega karbida
Tehnologija MOCVD
Postopek RTA/RTP
Postopek jedkanja ICP/PSS
Drugi postopek
ALD
Poseben grafit
Pirolitični ogljikov premaz
Vitreozni ogljikov premaz
Porozni grafit
Izotropni grafit
Silikoniziran grafit
Grafitni list visoke čistosti
Ogljikova vlakna
C/c kompozit
Togi
Mehko
Keramika iz silicijevega karbida
SIC v prahu z visoko čistostjo
Oksidacija in difuzijska peč
Druga polprevodniška keramika
Polprevodniški kremen
Keramika aluminijevega oksida
Silicijev nitrid
Porozni sic
Vafelj
Tehnologija površinske obdelave
Tehnična služba
Novice
Novice podjetja
Novice o industriji
Prenesi
Prenesi
Pošlji povpraševanje
Kontaktirajte nas
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
Spletni meni
domov
O nas
O podjetju
pogosta vprašanja
Izdelki
Prevleka iz tantalovega karbida
SIC enojni proces rasti kristalov rezervni deli
Postopek epitaksije SiC
UV LED sprejemnik
Prevleka iz silicijevega karbida
Trden silicijev karbid
Silicijeva epitaksija
Epitaksi silicijevega karbida
Tehnologija MOCVD
Postopek RTA/RTP
Postopek jedkanja ICP/PSS
Drugi postopek
ALD
Poseben grafit
Pirolitični ogljikov premaz
Vitreozni ogljikov premaz
Porozni grafit
Izotropni grafit
Silikoniziran grafit
Grafitni list visoke čistosti
Ogljikova vlakna
C/c kompozit
Togi
Mehko
Keramika iz silicijevega karbida
SIC v prahu z visoko čistostjo
Oksidacija in difuzijska peč
Druga polprevodniška keramika
Polprevodniški kremen
Keramika aluminijevega oksida
Silicijev nitrid
Porozni sic
Vafelj
Tehnologija površinske obdelave
Tehnična služba
Novice
Novice podjetja
Novice o industriji
Prenesi
Prenesi
Pošlji povpraševanje
Kontaktirajte nas
Iskanje izdelkov
Jezik
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
Izhod iz menija
domov
Prenesi
Prenesi
Več podrobnosti o parametrih izdelkov, obsežnejša tehnična navodila si oglejte našo datoteko PDF ali nas kontaktirajte neposredno.
Prenesi
Politika VeTek Semiconductor glede varnosti, zdravja in okolja
Vetek Semiconductor
SiC prah visoke čistosti
«
1
»
Novice Priporočila
Raziskovalna uporaba tehnologije 3D tiskanja v industriji polprevodnikov
Poglej več >>
Načela in tehnologija fizičnega odlaganja hlapov (PVD) (2/2) - Vetek Semiconductor
Poglej več >>
Kakšne so razlike med izotropnim grafitom in silikoniziranim grafitom?
Poglej več >>
Kakšna je razlika med silicijevim karbidom in tantalum karbidnimi prevlekami?
Poglej več >>
Tehnologija epitaksije z nizko temperaturo na osnovi GAN
Poglej več >>
Kako izbrati MOCVD Graphite pladenj?
Poglej več >>
WhatsApp
Tina
E-mail
Andy
VeTek
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
Reject
Accept
Pustite sporočilo, da prenesete našo brošuro
predložiti