UV LED sprejemnik

VeTek Semiconductor je proizvajalec, specializiran za UV LED sprejemnike, ima dolgoletne raziskave in razvoj ter proizvodne izkušnje na področju LED EPI sprejemnikov in so ga priznale številne stranke v industriji.

LED, to je polprevodniška svetleča dioda, fizikalna narava njenega luminiscence je, da se po tem, ko je polprevodniški pn spoj pod napetostjo električnega potenciala, združijo elektroni in luknje v polprevodniškem materialu, da ustvarijo fotone, tako da doseči polprevodniško luminiscenco. Zato je epitaksialna tehnologija eden od temeljev in jedra LED in je tudi glavni odločilni dejavnik za električne in optične lastnosti LED.

Tehnologija epitaksije (EPI) se nanaša na rast enokristalnega materiala na enokristalnem substratu z enako mrežno razporeditvijo kot substrat. Osnovno načelo: Na substratu, segretem na ustrezno temperaturo (predvsem safirni substrat, SiC substrat in Si substrat), se plinaste snovi indij (In), galij (Ga), aluminij (Al), fosfor (P) kontrolirajo do površine. substrata za rast specifičnega monokristalnega filma. Trenutno tehnologija rasti LED epitaksialne plošče uporablja predvsem metodo MOCVD (organsko kovinsko kemično meteorološko nanašanje).

LED epitaksialni substratni material

1. Rdeča in rumena LED:

GaP in GaAs sta običajno uporabljena substrata za rdeče in rumene LED. Substrati GaP se uporabljajo v metodi epitaksije v tekoči fazi (LPE), kar ima za posledico širok razpon valovnih dolžin 565–700 nm. Za metodo epitaksije v plinski fazi (VPE) se gojijo epitaksialne plasti GaAsP, ki dajejo valovne dolžine med 630–650 nm. Pri uporabi MOCVD se substrati GaAs običajno uporabljajo z rastjo epitaksialnih struktur AlInGaP. 

To pomaga premagati pomanjkljivosti absorpcije svetlobe substratov GaAs, čeprav uvaja neskladje mreže, ki zahteva vmesne plasti za rast struktur InGaP in AlGaInP.

VeTek Semiconductor zagotavlja LED EPI suceptor s prevleko SiC, prevleko TaC:

VEECO LED EPI sprejemnik TaC prevleka, uporabljena v LED EPI suceptorju

2. modra in zelena LED:

 ● GaN substrat: Monokristal GaN je idealen substrat za rast GaN, izboljšanje kakovosti kristalov, življenjsko dobo čipa, svetlobno učinkovitost in gostoto toka. Vendar pa težka priprava omejuje njegovo uporabo.

Safirni substrat: Safir (Al2O3) je najpogostejši substrat za rast GaN, ki nudi dobro kemično stabilnost in ne absorbira vidne svetlobe. Vendar pa se sooča z izzivi nezadostne toplotne prevodnosti pri visokotokovnem delovanju močnostnih čipov.

● Substrat SiC: SiC je še en substrat, ki se uporablja za rast GaN, in je na drugem mestu po tržnem deležu. Zagotavlja dobro kemično stabilnost, električno prevodnost, toplotno prevodnost in ne absorbira vidne svetlobe. Vendar ima višje cene in nižjo kakovost v primerjavi s safirjem. SiC ni primeren za UV LED pod 380 nm. Odlična električna in toplotna prevodnost SiC-ja odpravlja potrebo po lepljenju flip-chip za odvajanje toplote v močnih GaN LED na safirnih substratih. Struktura zgornje in spodnje elektrode je učinkovita za odvajanje toplote v napravah GaN LED z močjo.

LED Epitaxy sprejemnik MOCVD susceptor s prevleko TaC

3. Deep UV LED EPI:

Pri globoki ultravijolični (DUV) LED epitaksiji, globoki UV LED ali DUV LED epitaksiji običajno uporabljeni kemični materiali kot substrati vključujejo aluminijev nitrid (AlN), silicijev karbid (SiC) in galijev nitrid (GaN). Ti materiali imajo dobro toplotno prevodnost, električno izolacijo in kakovost kristalov, zaradi česar so primerni za aplikacije DUV LED v okoljih z visoko močjo in visoko temperaturo. Izbira substratnega materiala je odvisna od dejavnikov, kot so zahteve glede uporabe, postopki izdelave in stroški.

Deep UV LED susceptor s prevleko iz SiC Deep UV LED susceptor s prevleko iz TaC