Sitemap

Porozni silikonski karbid (sic) keramični krožniki: visokozmogljivi materiali v proizvodnji polprevodnikov | Kaj je kremenotni čoln? | Kaj je PECVD grafitni čoln? | Kako izbrati MOCVD Graphite pladenj? | Kakšne so razlike med izotropnim grafitom in silikoniziranim grafitom? | Kaj je keramika iz silicijevega karbida? | Kako porozni grafit izboljša rast kristalov silicijevega karbida? | CVD tehnološka inovacija za Nobelovo nagrado | Kaj je sic prevlečen z grafitom? | Kaj je porozni grafit visoke čistosti? | Najboljši 3 -kremenčevi dobavitelji materiala na svetu | Kaj je rast kristalov iz silicijevega karbida? | Kakšen je epitaksialni postopek? | Kako doseči visoko kakovostno rast kristalov? - sic kristalna rastna peč | Štirje najmočnejši grafični proizvajalci na svetu - Vetek | Kako sic prevleka izboljša oksidacijsko odpornost na ogljik？ | Tri tehnologije za enkratno kristalno rast | Uporaba in raziskave keramike iz silicijevega karbida na področju fotovoltaik - Vetek Semiconductor | Kakšne izzive je proces prevleke TAC za CVD za rast enojnih kristalov SIC pri obdelavi polprevodnikov? | Zakaj je prevleka iz tantalovega karbida (TaC) boljša od prevleke iz silicijevega karbida (SiC) pri rasti monokristala SiC? - VeTek polprevodnik | Katera merilna oprema je v tovarni Fab? - Vetek Semiconductor | Kako TAC prevleka izboljša življenjsko dobo grafitnih komponent? - Vetek Semiconductor | Kakšna je posebna uporaba delov, prevlečenih s TAC, v polprevodniškem polju? | Zakaj ne uspeva obarvani grafitni obloženi sic? - Vetek Semiconductor | Kakšne so razlike med tehnologijami MBE in MOCVD? | Porozni karbid Tantalum: nova generacija materialov za rast kristalov sic | Kaj je EPI epitaksialna peč? - VeTek Semiconductor | Polprevodniški postopek: kemično naparjevanje (CVD) | Kako rešiti problem sintranja razpok v keramiki silicijevega karbida? - Vetek Semiconductor | Kaj je postopno nadzorovana epitaksialna rast？ | Težave v procesu jedkanja | Kaj je vroče stisnjena sic keramika? | Uporaba materialov toplotnega polja na osnovi ogljika v rasti kristala iz silicijevega karbida | Zakaj je prevleka SiC deležna toliko pozornosti? - VeTek Semiconductor | Zakaj 3C-SIC izstopa med številnimi polimorfi SIC? - Vetek Semiconductor | Diamond - bodoča zvezda polprevodnikov | Kakšna je razlika med aplikacijami silicijevega karbida (SiC) in galijevega nitrida (GaN)? - VeTek Semiconductor | Načela in tehnologija fizičnega nalaganja hlapov (1/2) - Vetek Semiconductor | Načela in tehnologija fizičnega odlaganja hlapov (PVD) (2/2) - Vetek Semiconductor | Kaj je porozni grafit? - Vetek Semiconductor | Kakšna je razlika med silicijevim karbidom in tantalum karbidnimi prevlekami? | Popolna razlaga procesa proizvodnje čipov (1/2): od rezin do embalaže in testiranja | Popolna razlaga postopka proizvodnje čipov (2/2): od rezin do embalaže in testiranja | Kakšen je temperaturni gradient toplotnega polja ene same kristalne peči? | Koliko veste o sapphireu? | Kako tanek lahko taiko postopek naredi silicijeve rezine? | 8-palčna raziskava Epitaxial peči in homoepitaksialnih procesov | Polprevodniške substratne rezine: lastnosti materiala silicija, GaAs, SiC in GaN | Tehnologija epitaksije z nizko temperaturo na osnovi GAN | Kakšna je razlika med CVD TAC in sintranim TAC? | Kako pripraviti CVD TAC prevleko? - Vetkeksemin | Kaj je prevleka Tantalum Carbide TAC? - Vetkeksemin | Zakaj je sic prevleka ključni osnovni material za sic epitaksialno rast? | Silicijev karbid nanomateriali | Koliko veste o CVD sic? - Vetek Semiconductor | Kaj je tac prevleka? - Vetek Semiconductor | Ali veste za mocvd SupAtor? | Uporaba trdnega silicijevega karbida | Značilnosti silicijeve epitaksije | Material epitaksije iz silicijevega karbida | Različne tehnične poti peči SIC epitaksialne rasti | Uporaba grafitnih delov, prevlečenih s TaC, v monokristalnih pečeh | Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8-palčni SiC čipi bodo predvidoma dani v proizvodnjo decembra! | Kitajska podjetja naj bi z Broadcomom razvijala 5nm čipe! | Na osnovi 8-palčne tehnologije silicijeve karbide s pomočjo enojne kristalne rasti peči | Tehnologija priprave epitaksije iz silicija (Si). | Raziskovalna uporaba tehnologije 3D tiskanja v industriji polprevodnikov | Preboj tehnologije karbide Tantalum, epitaksialno onesnaževanje SiC se je zmanjšalo za 75%? | Recept za odlaganje ALD atomske plasti | Razvojna zgodovina 3C sic | Proizvodnja čipov: procesni tok MOSFET | Zasnova toplotnega polja za rast sic enojnega kristala | Napredek epitaksialne tehnologije 200 mm SiC italijanskega LPE | Rol Up! Dva glavna proizvajalca bosta množično proizvedla 8-palčni silicijev karbid | Kaj je CVD TAC prevleka? - Vetekkemi | Kakšna je razlika med epitaxy in ALD? | Kaj je postopek polprevodniške epitaksije? | Proizvodnja čipov: odlaganje atomske plasti (ALD)