Novice

8-palčna raziskava Epitaxial peči in homoepitaksialnih procesov

Članek analizira materialne lastnosti polprevodniških substratnih rezin, kot so silicij, GaAs, SiC in GaN

Ta članek v glavnem opisuje nizkotemperaturno epitaksialno tehnologijo, ki temelji na GAN, vključno s kristalno strukturo materialov na osnovi GAN, 3. zahtevam epitaksialne tehnologije in rešitvami za izvajanje, prednosti nizkotemperaturne epitaksialne tehnologije, ki temeljijo na načelih PVD, in razvojnimi perspektivami nizkomeperaturne epitaksialne tehnologije.