Izdelki

Silicijeva epitaksija

View as  
 
Deli sprejemnika EPI

Deli sprejemnika EPI

Pri osnovnem procesu epitaksialne rasti silicijevega karbida Veteksemicon razume, da zmogljivost suceptorja neposredno določa kakovost in učinkovitost proizvodnje epitaksialne plasti. Naši visoko čisti EPI suceptorji, zasnovani posebej za področje SiC, uporabljajo posebno grafitno podlago in gosto CVD SiC prevleko. S svojo vrhunsko toplotno stabilnostjo, odlično odpornostjo proti koroziji in izjemno nizko stopnjo nastajanja delcev zagotavljajo neprimerljivo debelino in enotnost dopinga za stranke tudi v težkih procesnih okoljih z visoko temperaturo. Izbira Veteksemicon pomeni izbiro temelja zanesljivosti in zmogljivosti za vaše napredne proizvodne procese polprevodnikov.
SiC prevleka Monokristalni silikonski epitaksialni pladenj

SiC prevleka Monokristalni silikonski epitaksialni pladenj

SiC prevleka Monokristalni silikonski epitaksialni pladenj je pomemben pripomoček za epitaksialno rastno peč iz monokristalnega silicija, ki zagotavlja minimalno onesnaženje in stabilno epitaksialno rastno okolje. Monokristalni silikonski epitaksialni pladenj VeTek Semiconductor s prevleko SiC ima izjemno dolgo življenjsko dobo in ponuja različne možnosti prilagajanja. VeTek Semiconductor se veseli, da bo postal vaš dolgoročni partner na Kitajskem.
CVD sic prevleka za obstrešbo

CVD sic prevleka za obstrešbo

VeTek Semiconductor CVD SiC coating barrel susceptor is the core component of the barrel type epitaxial furnace.With the help of CVD SiC coating barrel susceptor, the quantity and quality of epitaxial growth are greatly improved.VeTek Semiconductor is a professional manufacturer and supplier of SiC Coated Barrel Susceptor, and is at the leading level in China and even in the world.VeTek Semiconductor se veseli vzpostavitve tesnih zadružnih odnosov z vami v industriji polprevodnikov.
Graphite Vrtelna podpora

Graphite Vrtelna podpora

Grafit z visokim čistosti, ki se vrti, ima pomembno vlogo pri epitaksialni rasti galijevega nitrida (proces MOCVD). Vetek Semiconductor je vodilni grafitni proizvajalec in dobavitelj na Kitajskem. Razvili smo številne izdelke z visoko čisto čistostjo na osnovi grafitnih materialov z visoko čistostjo, ki v celoti ustrezajo zahtevam industrije polprevodnikov. Vetek Semiconductor se veseli, da bo postal vaš partner pri vrtljivem grafitnem asiceptorju.
CVD sic palačinka

CVD sic palačinka

Kot vodilni proizvajalec in inovator izdelkov za obstreljevanje palačink SIC na Kitajskem. Vetek polprevodniški CVD SIC palačinka, kot komponenta v obliki diska, zasnovana za polprevodniško opremo, je ključni element za podporo tankih polprevodniških rezin med visokotemperaturnim epitaksialnim odlaganjem. Vetek Semiconductor se zavezuje k zagotavljanju kakovostnih izdelkov za zabranco palačink SIC in postati vaš dolgoročni partner na Kitajskem po konkurenčnih cenah.
CVD sic prevlečen s sodčkom

CVD sic prevlečen s sodčkom

Vetek Semiconductor je vodilni proizvajalec in inovator CVD SiC prevlečenega grafita na Kitajskem. Naš CVD SiC prevlečen sodček ima ključno vlogo pri spodbujanju epitaksialne rasti polprevodniških materialov na rezine z odličnimi značilnostmi izdelka. Dobrodošli na nadaljnjem posvetovanju.

Veteksemicon silicon epitaxy solutions are your strategic procurement choice for advanced semiconductor wafer processing, particularly in CMOS, power devices, and MEMS applications. As a key process in wafer engineering, silicon epitaxy (Si Epi) involves the precise deposition of a crystalline silicon layer on top of a polished silicon wafer, offering superior control of doping profiles, defect density, and layer thickness.


Veteksemicon provides epitaxy-ready susceptor parts and reactor components used in Epi CVD systems, supporting both atmospheric and reduced pressure processes. Our product lineup includes silicon epitaxy susceptors, carrier rings, and coated wafer holders, optimized for compatibility with tools from Applied Materials, ASM, and Tokyo Electron (TEL).


Silicon epitaxy plays a critical role in producing ultra-thin junctions, strained silicon layers, and high-voltage isolation structures. Our materials and parts are engineered for high-purity, uniform thermal distribution, and anti-contamination performance during n-type and p-type epitaxial growth.


Closely associated terms include epitaxial wafer, in-situ doping, epitaxy-ready SiC coatings, and epi reactor parts, which support the entire upstream and downstream process of silicon-based IC fabrication.


Discover more about Veteksemicon’s silicon epitaxy support solutions by visiting our product detail page or contacting us for technical consultation and part customization.


X
Piškotke uporabljamo, da vam ponudimo boljšo izkušnjo brskanja, analiziramo promet na spletnem mestu in prilagodimo vsebino. Z uporabo te strani se strinjate z našo uporabo piškotkov.Politika zasebnosti