Novice

Novice o industriji

Komponente Aixtron G10: ključni deli za visoko zmogljivo SiC epitaksijo16 2026-05

Komponente Aixtron G10: ključni deli za visoko zmogljivo SiC epitaksijo

Oglejte si ključne komponente Aixtron G10 za visokotemperaturne epitaksijske sisteme SiC. Pokrivamo grafitne dele, prevlečene s CVD SiC, komponente prevleke TaC in strukture toplotnega polja – in kako pomagajo pri stabilnosti procesa, nadzoru čistosti in izkoristku rezin v napredni proizvodnji polprevodnikov.
Kaj je polmesec v reakcijski komori LPE?09 2026-05

Kaj je polmesec v reakcijski komori LPE?

Naučite se, kaj je komponenta Halfmoon v reakcijski komori LPE in kako podpira toplotno stabilnost, upravljanje pretoka plina in strukturo reaktorja v epitaksijskih sistemih SiC. Raziščite grafitne materiale, CVD SiC prevleke, TaC prevleke in sodobne tehnologije polprevodniških reaktorjev.
Optimiziranje zmogljivosti MicroLED s substrati SiC in naprednimi premazi25 2026-04

Optimiziranje zmogljivosti MicroLED s substrati SiC in naprednimi premazi

Se borite s stopnjami donosa MicroLED? Odkrijte, zakaj se vodilni v industriji preusmerjajo na substrate SiC in komponente MOCVD, prevlečene s TaC, za reševanje toplotne obremenitve in kontaminacije z delci. Spoznajte tehnično prednost CVD SiC za GaN zaslone naslednje generacije
X
Piškotke uporabljamo, da vam ponudimo boljšo izkušnjo brskanja, analiziramo promet na spletnem mestu in prilagodimo vsebino. Z uporabo te strani se strinjate z našo uporabo piškotkov.Politika zasebnosti
ZavrniSprejmi