Vzorčno preslikavo

Na podlagi fizičnega vzorca, ki ga zagotovi stranka (tudi če gre za obrabljen ali zlomljen rabljen del), nudimo storitev celotnega spektra, od obratnega inženiringa fizične strukture do fizikalno-kemijske karakterizacije na ravni materiala. Z uporabo visoko natančne inšpekcijske opreme polprevodniškega razreda natančno kvantificiramo zapletene 3D geometrijske strukture, lastnosti vmesnika prevleka/podlaga in fizikalne parametre materiala, s čimer zagotovimo, da izdelek z obratnim inženiringom ustreza oz. presega standarde proizvajalca originalne opreme glede fizičnega prileganja, združljivosti postopkov in življenjske dobe (zamenjava funkcije oblikovanja-fit-funkcije).

Kaj merimo (tehnični rezultati):

• Dimenzijska in geometrijska odstopanja:Z uporabo visoko natančnih koordinatnih merilnih strojev (CMM) in optičnih 3D-skenerjev izvajamo modeliranje oblaka točk v polni velikosti in rekonstrukcijo zapletenih votlinskih struktur ter montažnih/lokacijskih lukenj, pri čemer dosegamo mikronsko natančnost.
• Mikromorfologija in ploskost površine:Uporaba interferometrov bele svetlobe in optičnih profilometrov za oceno nanometrske površinske hrapavosti (Ra) in ploskosti velikih površin, izpolnjevanje zahtev glede ravnanja z rezinami in tesnjenja komore.
• Mikro-funkcije Edge:Preslikava R-polmerov robov in mikroprofilov posnetkov z visoko povečavo za optimizacijo morfologije plezanja prevleke in preprečevanje koncentracije napetosti na ostrih vogalih, ki lahko povzroči visokotemperaturno razslojevanje.
• Analiza grafitnega substrata in toplotnega ujemanja:Ocena gostote grafitne podlage visoke čistosti, velikosti zrn in koeficienta toplotnega raztezanja (CTE) za zagotovitev ujemanja toplotne obremenitve med podlago in prevleko CVD.
• Kakovost lepljenja prevleke in vmesnika:Nedestruktivna XRF in metalografska analiza preseka SEM za merjenje absolutne debeline, radialne enakomernosti prevleke CVD in globine penetracije vmesnika.
• Fazna struktura in mikrokristalna analiza:XRD ocena čistosti kubične faze (β-SiC) CVD SiC; kvalitativna ocena kemijske stehiometrije in značilnosti kristalne strukture CVD TaC.

Pravi primer in koristi za stranke (izkušnje):

Stranka 12-palčne komponente za jedkanje polprevodnikov:Dobava OEM prekinjena; na voljo je bil le en obrabljen rabljen del. Z obratnim modeliranjem CMM + analizo preseka prevleke SEM smo dokončali razvoj nadomestnih delov in testiranje na orodju v 2 mesecih brez izvirnih risb, s čimer smo dosegli 100-odstotno prileganje namestitve. Končno se je cikel nabave komponent skrajšal s prvotnega 6-mesečnega uvoznega časa na 2 meseca, stroški nabave na enoto so se znižali za 42 % in ta model je bil stabilno dobavljen za več kot 30 serij.

Prevleka iz silicijevega karbida (SiC) na prerezu prevleke SEM

pogosta vprašanja

Začnite svojo ekskluzivno storitev zdaj