Spletni meni

Iskanje izdelkov

Jezik

Storitve in viri

Materiali in oblikovanje

Izbira ustrezne kombinacije substrata in prevleke je ključ do preprečevanja prezgodnje okvare komponent, zmanjšanja kontaminacije z delci in maksimiranja izkoristka rezin. Zagotavljamo prilagojene materialne in konstrukcijske rešitve glede na strankino specifično procesno okno (delovna temperatura, reaktivna plinska kemija, stopnje rampe).

Naše osnovne oblikovalske zmogljivosti:

  • Strogo CTE ujemanje stresa:Za hiter termični cikel (>100 °C/min) natančno uskladimo temperaturne krivulje CTE grafitnih substratov visoke čistosti in CVD prevlek, kar bistveno zmanjša tveganje za razslojevanje in mikrorazpoke prevleke.
  • Izbira premaza glede na procesni scenarij:CVD SiC prevleka za Si/SiC epitaksijo (Epi), MOCVD in okolja za jedkanje s plazmo; Prevleka CVD TaC za visokotemperaturne in močno korozivne pogoje (npr. rast SiC monokristala PVT).
  • Nadzorovana upornost in optimizacija toplotne prevodnosti:Natančen nadzor skupne upornosti in toplotne prevodnosti substrata in prevleke za izpolnjevanje posebnih zahtev glede električnega in toplotnega polja RF, elektrostatičnih vpenjal ESC ali ogrevalnih območij.
  • Nadzor vira onesnaženja in zmanjšanje CoO:Plasti nanosa CVD visoke čistosti gosto tesnijo porozni grafit, znatno zmanjšajo odpadanje delcev, difuzijo ultra-sledov kovinskih nečistoč in tveganje izločanja plinov pri visokih temperaturah.

Tipična primerjava izbire premaza (Hitri vodnik)

Premaz Tipična navodila za uporabo Temeljne prednosti
CVD SiC Si/SiC epitaksija (Epi), MOCVD, delno plazemsko jedkanje Visoka čistost, dobra toplotna stabilnost, odpornost proti kemični koroziji, visoka skupna stroškovna učinkovitost
CVD TaC Visokotemperaturna rast monokristalov SiC (PVT), komponente, ki nosijo izjemno visoke temperature Višja temperaturna ocena (>1600 °C), močna odpornost proti koroziji, odlična odpornost proti oksidaciji

Pravi primer in koristi za stranke (izkušnje):

Vodilni proizvajalec SiC epitaksije (Epi):Prvotna komponenta je uporabljala neusklajeno prevleko CVD TaC, kar je povzročilo čezmerno medfazno napetost in pogoste mikrorazpoke pri visoki temperaturi. Ponovno smo zagnali termodinamične simulacije in preklopili na aPosebna grafitna podlaga visoke čistosti, ki ustreza CTE + vmesna plast + CVD SiC prevlekarešitev. Rezultat: povprečna življenjska doba komponent se je povečala z 200 ur na 850 ur; letna pogostost menjave orodja se je zmanjšala s 40 na 9-krat; prihranki pri stroških O&M za celovito opremo so presegli 650.000 RMB na leto.

GDMS purity analysis report for TaC coating GDMS purity analysis report for SiC coating

Poročilo o analizi čistosti GDMS za prevleke TaC in SiC

pogosta vprašanja

1. V: Kako naj izberem med CVD SiC prevleko in CVD TaC prevleko?

▼

A:Poglejte svojo procesno temperaturo in intenzivnost korozije v plinski fazi. Če je temperatura postopka pod 1000 °C in vključuje predvsem jedkanje na osnovi Cl₂/F₂ ali običajno epitaksijo, izberiteCVD SiCza najboljšo stroškovno učinkovitost; če procesna temperatura presega 1200 °C in vključuje močno korozivno atmosfero (npr. SiC PVT rast monokristala), priporočamoCVD TaC, ki ponuja vrhunsko temperaturno in korozijsko odpornost. Zagotavljamo lahko brezplačno poročilo o priporočilih glede izbire na podlagi vaših specifičnih procesnih parametrov.

2. V: Ali podpirate izdelavo prototipov v enem kosu/majhnih serijah? Kakšen je dobavni rok?

▼

A:ja! Za prototipe obratnega inženiringa,MOQ je 1 kos. Za običajne preproste dele, od prejema vzorca do dostave mapiranega dela, je najhitrejši dobavni čas približno10–15 delovnih dni; za dele, ki vključujejo zapletene postopke nanašanja premazov, je približno20–25 delovnih dni. Obrnite se na naše inženirje za hitro oceno.

3. V: Kaj povzroča razslojevanje CVD prevleke na grafitnih delih med uporabo? Je mogoče rešiti?

▼

A:90 % primerov razslojevanja je posledica neusklajenosti med koeficientom toplotnega raztezanja (CTE) grafitne podlage in prevleke, kar vodi do utrujenega luščenja pri hitrem segrevanju/hlajenju. Naša rešitev: najprej natančno izmerite krivuljo CTE vašega originalnega dela, nato posebej prilagodite gostoto substrata in temperaturni gradient nanašanja, tako da se oba CTE zelo ujemata. Trdnost spoja je mogoče izboljšati na več kot1,5-kratkonvencionalni ravni industrije.

4. V: Ali lahko zagotovite CoA (potrdilo o analizi) za izdelke? Katere podatke vključuje?

▼

A:Vsak poslani izdelek je standardno opremljen z aedinstvena serijska številka + celotno poročilo CoA. Poročilo vključuje: podatke o inšpekcijskih pregledih CMM s kritičnimi dimenzijami, karto porazdelitve debeline večtočkovnega premaza, vrednosti površinske hrapavosti (Ra) in zaključke analize čistosti materiala (GDMS).

Začnite svojo ekskluzivno storitev zdaj

Takoj nas kontaktirajte Zahtevajte ponudbo

telefon: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Sera)

E-pošta: anny@veteksemi.com

Vzorčno preslikavoMateriali in oblikovanjeOptimizacija in množična proizvodnjaQC in logistika
Novice Priporočila
Kaj je postopek priprave gošče za poliranje CMP
Kaj je postopek priprave gošče za poliranje CMPPoglej več >>
Dobrodošli kupci, da obiščete tovarno izdelkov iz ogljikovih vlaken družbe Veteksemicon
Dobrodošli kupci, da obiščete tovarno izdelkov iz ogljikovih vlaken družbe VeteksemiconPoglej več >>
Lahko izotropni grafit zdrži ekstremno toploto v visokotemperaturnih pečeh
Lahko izotropni grafit zdrži ekstremno toploto v visokotemperaturnih pečehPoglej več >>
Kaj točno je polprevodnik tretje generacije?
Kaj točno je polprevodnik tretje generacije?Poglej več >>
Kako sic prevleka izboljša oksidacijsko odpornost na ogljik？
Kako sic prevleka izboljša oksidacijsko odpornost na ogljik？Poglej več >>
Rešitev za okvaro enkapsulacije ogljika v substratih iz silicijevega karbida
Rešitev za okvaro enkapsulacije ogljika v substratih iz silicijevega karbidaPoglej več >>
X
Piškotke uporabljamo, da vam ponudimo boljšo izkušnjo brskanja, analiziramo promet na spletnem mestu in prilagodimo vsebino. Z uporabo te strani se strinjate z našo uporabo piškotkov. Politika zasebnosti
ZavrniSprejmi