Sic prevlečen globok UV LED obljub

SIC prevlečen globok UV LED obstreznik je osrednja ležajna komponenta vOprema MOCVD (kovinska organska kemična parna odlaganje). Občutek neposredno vpliva na enakomernost, nadzor debeline in kakovost materiala globoke UV LED epitaksialne rasti, zlasti pri rasti epitaksialne plasti aluminijevega nitrida (ALN) z visoko vsebnostjo aluminija, oblikovanje in zmogljivost suspeštorja so ključni.

SIC prevlečen z globoko UV LED obstrežbo je posebej optimiziran za globoko UV LED epitaksijo in je natančno zasnovan na podlagi toplotnih, mehanskih in kemičnih okoljskih značilnosti, da bi ustrezali strogim zahtevam procesa.

Vetek Semiconductor uporablja napredno tehnologijo obdelave za zagotavljanje enakomerne porazdelitve toplote v območju delovne temperature, pri čemer se izogne ​​neenakomerni rasti epitaksialne plasti, ki jo povzroča temperaturni gradient. Natančna obdelava nadzoruje hrapavost površine, zmanjša onesnaženje delcev in izboljša učinkovitost toplotne prevodnosti kontakta na površini rezin.

Vetek Semiconductor kot material uporablja SGL grafit, površinaCVD sic prevleka, ki lahko dolgo zdrži NH3, HCl in visoko temperaturno atmosfero. Vetek Semiconductor's SIC, prevlečen z globokim UV LED obspevcem, se ujema s koeficientom toplotne ekspanzije epitaksialnih rezin ALN/Gan, kar zmanjšuje upogibanje ali razpok rezin, ki jih med postopkom povzroči toplotni stres.

Najpomembneje je, da je Vetek Semiconductor's Sic prevlečen z globokim UV LED obspevcem, ki se odlično prilagodi opremi MOCVD (vključno z Veeco K465i, EPIK 700, AIXTRON CRIUS itd.). Podpira prilagojene storitve za velikost rezin (2 ~ 8 palcev), oblikovanje reže za rezine, temperaturo procesa in druge zahteve.

Scenariji prijave:

● Globoka priprava na UV LED: Uporablja se za epitaksialni proces naprav v pasu pod 260 nm (UV-C desinfection, sterilizacija in druga polja).

● Nitrid polprevodniški epitaksija: Uporablja se za epitaksialno pripravo polprevodniških materialov, kot sta galijev nitrid (GAN) in aluminijev nitrid (ALN).

● Epitaksialni poskusi na ravni raziskav: Globoka UV epitaksija in novi poskusi razvoja materiala na univerzah in raziskovalnih institucijah.

Vetek Semiconductor s podporo močne tehnične ekipe lahko razvije obspevce z edinstvenimi specifikacijami in funkcijami glede na potrebe strank, podpira posebne proizvodne procese in zagotavlja dolgoročne storitve.

SEM podatki CVD SiC prevleka:

Osnovne fizikalne lastnosti CVD SiC prevleke:

To polprevodnikSIC prevlečene trgovine z globokimi UV LED obspevci: