Trda klobučevina visoke čistosti

SIC epitaksialna rast je tehnologija za gojenje visokokakovostnih tankih filmov iz silicijevega karbida na površini substrata. Ta postopek je bistvenega pomena za izdelavo visokozmogljivih polprevodniških naprav silicijevega karbida, kot so naprave za silicijevo karbid in naprave za silikonske karbide. V tem procesu je treba rastno okolje, vključno s temperaturo, pretokom plina, pritiskom in drugimi parametri, strogo nadzorovati, da se zagotovi rast visokokakovostnih, visoko čistosti silicijevih karbidnih epitaksialnih plasti z dobrimi električnimi lastnostmi. SIC Graphit Deli Halfmoon Graphite je temeljna sestavina Epitaksialne rasti SIC, visoka čistost pa je v glavnem igrala vlogo ohranjanja toplote grafitnih delov SIC Coatig Halfmoon.

Tog Fell z visoko čistostjo ima dobro toplotno prevodnost, ki lahko enakomerno porazdeli toploto ogrevalnega vira okoli grafitnih delov SIC Coatig Halfmoon in ima dober učinek ohranjanja toplote. Med rasti Epitaxial sic lahko absorbira toploto in jo sprosti počasi, da se izognete lokalnemu pregrevanju ali hlajenju, tako da se temperaturna razlika na površini silicijevega karbidnega substrata nadzira v zelo majhnem območju, temperaturna enakomernost pa lahko običajno doseže ± 1 - 2 ℃, kar je zelo pomembno za gojenje epitaksialne plasti silicijevega karbida z enakomerno debelino in doslednimi električnimi lastnostmi.

Nekateri korozivni plini, kot sta silan (SiH4) in propan (C3H8), se uporabljajo kot reakcijski izvor plinov pri epitaksialni rasti SiC. Trda klobučevina visoke čistosti ima dobro toleranco za te kemične pline in lahko ohrani svojo strukturno celovitost v celotnem ciklu epitaksialne rasti (ki lahko traja ure ali celo desetine ur). In čistost trdega filca visoke čistosti je nad 99,99 % in ne bo sproščala snovi, ki bi lahko onesnažile epitaksialno plast, v reakcijsko okolje, s čimer se zagotovi visoka čistost epitaksialne plasti silicijevega karbida.

Ustrezna gostota lahko zagotovi mehansko trdnost in toplotno prevodnost visoke čistosti togega filca. Medtem ko zagotavlja toplotno prevodnost, lahko zmanjša motnje zunanjih dejavnikov na rasti Epitaxial SIC.

V primerjavi s tradicionalnimi keramičnimi materiali in kovinskimi materiali ima grafitna trda klobučevina visoke čistosti boljšo toplotno prevodnost in kemično stabilnost ter je odličen pomožni material za epitaksialno rast SiC.

VeTek Semiconductor kot vodilni kitajski dobavitelj in tovarna za togo klobučevino visoke čistosti zagotavlja izdelke po meri, ne glede na to, ali gre za materiale ali velikost izdelka, ki jih je mogoče prilagoditi vam. Poleg tega je VeTek Semiconductor že dolgo zavezan zagotavljanju napredne tehnologije za togo klobučevino visoke čistosti. in rešitve izdelkov za industrijo polprevodnikov. Iskreno se veselimo, da bomo postali vaš dolgoročni partner na Kitajskem.

Vetek Semiconductor Visoka čistost toge proizvodne trgovine: