Novice

Novice

Z veseljem z vami delimo rezultate našega dela, novice o podjetju in vam pravočasno posredujemo razvoj dogodkov ter pogoje za imenovanje in razrešitev kadrov.
Kakšna je posebna uporaba delov, prevlečenih s TAC, v polprevodniškem polju?22 2024-11

Kakšna je posebna uporaba delov, prevlečenih s TAC, v polprevodniškem polju?

Premazi Tantalum karbida (TAC) se pogosto uporabljajo v polprevodniškem polju, predvsem za komponente epitaksialnega rastnega reaktorja, enojne komponente rasti kristala, visokotemperaturne industrijske komponente, grelniki sistema MOCVD in nosilci rezin.
Zakaj ne uspeva obarvani grafitni obloženi sic? - Vetek Semiconductor21 2024-11

Zakaj ne uspeva obarvani grafitni obloženi sic? - Vetek Semiconductor

Med postopkom epitaksialne rasti SiC lahko pride do okvare grafitne suspenzije, prevlečene s SiC. Ta članek izvaja natančno analizo pojava okvare grafitne suspenzije, prevlečene s SiC, ki vključuje predvsem dva dejavnika: okvaro epitaksialnega plina SiC in okvaro prevleke SiC.
Kakšne so razlike med tehnologijami MBE in MOCVD?19 2024-11

Kakšne so razlike med tehnologijami MBE in MOCVD?

Ta članek obravnava predvsem prednosti postopka in razlike v procesu epitaksije molekulskih žarkov in tehnologij za odlaganje kemičnih hlapov na kovino.
Porozni karbid Tantalum: nova generacija materialov za rast kristalov sic18 2024-11

Porozni karbid Tantalum: nova generacija materialov za rast kristalov sic

Porozni karbid Vetek Semiconductor, kot nova generacija materiala za kristalno rast SiC, ima veliko odličnih lastnosti izdelkov in ima ključno vlogo pri različnih tehnologijah za polprevodniško obdelavo.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept