Novice

Premazi Tantalum karbida (TAC) se pogosto uporabljajo v polprevodniškem polju, predvsem za komponente epitaksialnega rastnega reaktorja, enojne komponente rasti kristala, visokotemperaturne industrijske komponente, grelniki sistema MOCVD in nosilci rezin.

Med postopkom epitaksialne rasti SiC lahko pride do okvare grafitne suspenzije, prevlečene s SiC. Ta članek izvaja natančno analizo pojava okvare grafitne suspenzije, prevlečene s SiC, ki vključuje predvsem dva dejavnika: okvaro epitaksialnega plina SiC in okvaro prevleke SiC.

Ta članek obravnava predvsem prednosti postopka in razlike v procesu epitaksije molekulskih žarkov in tehnologij za odlaganje kemičnih hlapov na kovino.

Porozni karbid Vetek Semiconductor, kot nova generacija materiala za kristalno rast SiC, ima veliko odličnih lastnosti izdelkov in ima ključno vlogo pri različnih tehnologijah za polprevodniško obdelavo.

Načelo delovanja epitaksialne peči je nanašanje polprevodniških materialov na podlago pri visoki temperaturi in visokem tlaku. Epitaksialna rast silicija je gojenje plasti kristala z enako orientacijo kristala kot substrat in različno debelino na substratu monokristala silicija z določeno orientacijo kristala. Ta članek predstavlja predvsem metode epitaksialne rasti silicija: epitaksija v parni fazi in epitaksija v tekoči fazi.

Kemično odlaganje hlapov (CVD) v proizvodnji polprevodnikov se uporablja za odlaganje tankih filmskih materialov v komori, vključno s siO2, SIN itd., Običajno uporabljene vrste pa vključujejo PECVD in LPCVD. S prilagajanjem temperature, tlačnega in reakcijskega plina CVD dosega visoko čistost, enakomernost in dobro pokritost filma, da ustreza različnim zahtevam procesa.

Ta članek v glavnem opisuje široke možnosti uporabe keramike iz silicijevega karbida. Osredotoča se tudi na analizo vzrokov za sintranje razpok v keramiki iz silicijevega karbida in ustrezne rešitve.

Tehnologija jedkanja v proizvodnji polprevodnikov se pogosto srečuje s težavami, kot so učinek obremenitve, učinek mikroutorov in učinek polnjenja, ki vplivajo na kakovost izdelka. Rešitve za izboljšanje vključujejo optimizacijo gostote plazme, prilagajanje sestave reakcijskega plina, izboljšanje učinkovitosti vakuumskega sistema, načrtovanje razumne postavitve litografije in izbiro ustreznih materialov maske za jedkanje in pogojev postopka.

Vroče stiskanje je glavna metoda za pripravo visokozmogljive sic keramike. Postopek vročega stiskalnega sintranja vključuje: izbiro prahu z visoko čisto čistostjo, stiskanje in oblikovanje pri visoki temperaturi in visokem tlaku ter nato sintranje. SiC keramika, pripravljena s to metodo, ima prednosti visoke čistosti in visoke gostote in se pogosto uporabljajo pri brušenju diskov in toplotni opremi za obdelavo rezin.

Ključne metode rasti silicijevega karbida (SiC) vključujejo PVT, TSSG in HTCVD, od katerih ima vsaka različne prednosti in izzive. Materiali toplotnega polja na osnovi ogljika, kot so izolacijski sistemi, lončki, prevleke iz TaC in porozni grafit, povečujejo rast kristalov z zagotavljanjem stabilnosti, toplotne prevodnosti in čistosti, kar je bistvenega pomena za natančno izdelavo in uporabo SiC.

SiC ima visoko trdoto, toplotno prevodnost in odpornost proti koroziji, zaradi česar je idealen za proizvodnjo polprevodnikov. Prevleka CVD SiC je ustvarjena s kemičnim nanašanjem iz pare, kar zagotavlja visoko toplotno prevodnost, kemično stabilnost in ujemajočo se konstanto rešetke za epitaksialno rast. Njegova nizka toplotna ekspanzija in visoka trdota zagotavljata vzdržljivost in natančnost, zaradi česar je bistvenega pomena pri aplikacijah, kot so nosilci rezin, obroči za predgretje in drugo. VeTek Semiconductor je specializiran za prevleke SiC po meri za različne potrebe industrije.

Silicijev karbid (SIC) je visoko natančen polprevodniški material, znan po odličnih lastnostih, kot so visoka temperaturna odpornost, korozijska odpornost in visoka mehanska trdnost. Ima več kot 200 kristalnih struktur, pri čemer je 3C-SIC edini kubični tip, ki ponuja vrhunsko naravno sfero in zgoščevanje v primerjavi z drugimi vrstami. 3C-SIC izstopa za visoko mobilnost elektronov, zaradi česar je idealen za MOSFET v elektronski elektroniki. Poleg tega kaže velik potencial v nanoelektroniki, modrih LED in senzorjih.

Diamond, potencialni četrti generacija "Ultimate Semiconductor", pridobiva pozornost v polprevodniških substratih zaradi izjemne trdote, toplotne prevodnosti in električnih lastnosti. Medtem ko njegovi visoki stroški in proizvodni izzivi omejujejo njegovo uporabo, je KVB najprimernejša metoda. Kljub dopingom in kristalnim izzivom velikega območja Diamond obljublja.

SIC in GAN sta široki polprevodniki pasu s prednosti pred silicijem, kot so višje razpadne napetosti, hitrejša hitrost preklopa in vrhunska učinkovitost. SIC je boljši za visokonapetostno uporabo z visoko močjo zaradi svoje večje toplotne prevodnosti, Gan pa se odlikuje v visokofrekvenčnih aplikacijah zaradi svoje vrhunske mobilnosti elektronov.

Izhlapevanje elektronskih snopov je zelo učinkovita in široko uporabljena metoda prevleke v primerjavi z odpornim segrevanjem, ki segreva izhlapevalni material z elektronskim žarkom, zaradi česar se izhlapi in kondenzira v tanek film.