Vodilni obroč iz poroznega grafita

Glavne prednosti izdelka

1. Garancija ultra visoke čistosti in nizkih napak

Sprejema visokotemperaturni vakuumski postopek čiščenja 3000 ℃ za globoko odstranjevanje nekovinskih nečistoč, kot sta kisik in dušik, s čimer se poveča čistost izdelka na ≥99,9995 %. Odstranjuje z nečistočami povzročene kristalne napake (npr. mikrotubule, dislokacije) iz vira, zagotavlja doslednost in stabilnost električnih lastnosti monokristalov SiC in postavlja trdne temelje za visokokakovostno rast kristalov.

2. Izjemno visoka temperaturna stabilnost in natančna regulacija toplotnega polja

Lahko prenese ekstremno visoke temperature 2200 ℃ v argonskem ali vakuumskem okolju, neprekinjeno in stabilno deluje več kot 1000 ur brez mehčanja ali deformacije. Izdelek ima nizek koeficient toplotnega raztezanja, ki lahko učinkovito prepreči razpoke materiala, ki jih povzroči toplotna obremenitev. Podpira zasnovo porazdelitve gradienta poroznosti (15-30 %) in optimizira velikost por (10-200 μm) v kombinaciji s tehnologijo simulacije CFD (Computational Fluid Dynamics), ki nadzoruje nihanje temperaturnega gradienta znotraj ±3 ℃ in bistveno izboljša enakomernost toplotnega polja in konsistenco rasti kristalov.

3. Prilagajanje po meri in zadovoljstvo celotnega scenarija

• Prilagoditev geometrijske oblike: lahko natančno obdeluje zapletene oblike, kot so obročasti sodi in večplastne ščitne strukture glede na strukture peči strank, da doseže popolno ujemanje in namestitev.
• Prilagoditev površinskega procesa: Zagotavlja prilagojene storitve površinske obdelave, kot so ultra natančno poliranje in posebni premazi, kar močno poveča odpornost izdelka proti koroziji in življenjsko dobo.

4. Preverjeno delovanje in izboljšana učinkovitost

• Ko se uporablja kot osrednja komponenta termičnega polja v procesu kristalizacije PVT SiC, je bilo preverjeno v praktičnih scenarijih:
• Hitrost rasti kristalov se poveča za 15%-20% v primerjavi s tradicionalnimi izdelki iz grafita, kar bistveno skrajša proizvodni cikel.
• Izkoristek 4-palčnih monokristalnih rezin SiC presega 90 %, kar učinkovito zmanjšuje proizvodne stroške.
• Cikel vzdrževanja opreme se podaljša s konvencionalnih 3 mesecev na 6 mesecev, s čimer se zmanjša pogostost vzdrževanja zaustavitev in izboljša učinkovitost proizvodnje.
  
  

Scenariji uporabe

• Sklop PVT Growth Furnace: Služi kot osrednja komponenta za sublimacijo materiala SiC in rast kristalov, ki zagotavlja stabilno in enakomerno porazdelitev toplotnega polja, da se zagotovi nemoten napredek procesa kristalizacije.
• Komponenta za zaščito pred toplotnim poljem: edinstvena porozna struktura lahko učinkovito blaži toplotne obremenitve, zmanjša obrabo opreme in podaljša celotno življenjsko dobo opreme.
• Pripomoček za podporo kristalov semen: ima visoko mehansko trdnost za stabilno podporo kristalov semen, kar zagotavlja natančnost usmerjene rasti kristalov.
• Plast za difuzijo plina: Optimizira učinkovitost prenosa plinske faze, spodbuja enakomerno sublimacijo in odlaganje surovin ter dodatno izboljša kakovost in stopnjo rasti posameznega kristala.

Tehnični parametri

Ključni konkurenčni poudarki

• Zmogljivost pri ekstremnih visokih temperaturah: ohranja strukturno stabilnost pri 2200 ℃ brez mehčanja ali deformacij, podpira neprekinjeno delovanje več kot 1000 ur za izpolnjevanje ekstremnih zahtev procesa.
• Prilagojena rešitev toplotnega polja: Zanaša se na simulacijsko tehnologijo CFD za optimizacijo zasnove gradienta por, natančno ujemanje s potrebami procesa strank in izboljšanje enotnosti kristalov in izkoristka izdelka.
• Storitev hitrega odziva: nudi storitve testiranja ujemanja parametrov procesa in zagotavlja prototipne rešitve v 72 urah, kar strankam pomaga pospešiti procese raziskav in razvoja ter proizvodnje.