Sic prevlečen tesnilni obroč za epitaksijo

Ⅰ. Kaj je sic prevlečen tesnilni prstan?

Sic prevlečen tesnilni obroč (silicijev karbidni obroč s tesnilom) je natančna tesnilna komponenta, zasnovana za visoko temperaturno, zelo korozivno polprevodniško procesno okolje. Njegovo jedro je skozi kemično odlaganje hlapov (CVD) ali fizično odlaganje hlapov (PVD), površino substrata grafita ali ogljikovega sestavljenega materiala, enakomerno pokrito s plastjo visoko-čistosti silicijevega karbida (sic), tvorbe obeh mehanskih trdnosti substrata in prevleke z visoko zmogljivostjo pečatov.  

Ⅱ. Sestava izdelka in jedrna tehnologija  

1. gradivo za substrat:

Grafit ali kompozitni material iz ogljikovega ogljika: Osnovni material ima prednost z visoko toplotno odpornostjo (zdrži več kot 2000 ℃) in nizek koeficient toplotne ekspanzije, s čimer zagotavlja dimenzijsko stabilnost v ekstremnih pogojih, kot je visoka temperatura.  

Struktura natančnosti: Natančno zasnovo prstana je mogoče popolnoma prilagoditi votlini polprevodniške opreme, s čimer zagotovite plodnost tesnilne površine in dobre naravenosti.  

2. Funkcionalna prevleka:  

Sic prevleka z visoko čistostjo (čistost ≥99,99%): Debelina Coainga je običajno 10-50 μm, skozi postopek CVD, da tvori plast goste neporozne površinske strukture, kar daje tesnilni površini odlične kemične inertnosti in mehanskih lastnosti.

Ⅲ. Osnovne fizikalne lastnosti in prednosti tesnilnega obroča, prevlečenega s sic, za epitaksijo

Veteksemicon-ovi tesnilni obroči, prevlečeni s sic, so idealni za polprevodniške epitaksije zaradi njihovih odličnih zmogljivosti v ekstremnih pogojih. Spodaj so posebne fizikalne lastnosti izdelka:

Iv. Temeljne aplikacije pri obdelavi polprevodnikov epitaksije  

SIC prevlečen tesnilni obroč za epitaksijo se uporablja predvsem v MOCVD (kovinsko organsko kemično odlaganje hlapov) in MBE (molekularna epitaksija) in druga procesna oprema, posebne funkcije vključujejo:  

1. Polprevodniška oprema Reakcijska zaščita zraka

Naši tesnilni obroči, prevlečeni s sic, zagotavljajo, da so dimenzijske tolerance (običajno znotraj ± 0,01 mm) vmesnika z opremo (npr. Prirobnica, osnovna gred) čim manjše s prilagajanjem strukture obroča. 

Hkrati je tesnilni obroč natančno obdelan z uporabo CNC obdelovalnih strojev, da se zagotovi enakomerna prileganje okoli celotnega oboda kontaktne površine, kar odpravi mikroskopske vrzeli. To učinkovito preprečuje uhajanje procesnih plinov (npr. H₂, NH₃), zagotavlja čistost okolja rasti epitaksialne plasti in izboljša donos rezin.  

Po drugi strani pa lahko dobra tesnost plina blokira tudi vdor zunanjih onesnaževal (O₂, H₂O) in se tako učinkovito izogne ​​napakam v epitaksialni plasti (kot so dislokacije, neenakomerne dopinge nečistoč).  

2. visoko temperaturno dinamično podporo za tesnjenje  

Adopting the principle of substrate-coating synergistic anti-deformation: due to the graphite substrate's low coefficient of thermal expansion (CTE ≈ 4.5×10-⁶/°C) is very small, and at extreme high temperatures (＞1000 ℃) the expansion is only 1/5 of the amount of metal seals, thus effectively avoiding the sealing surface separation caused by thermal deformacija. V kombinaciji z ultra visoko trdoto siC prevleke (HV2500 ali več) se lahko učinkovito upira praskam na tesnilni površini, ki jih povzroča mehanska vibracija ali udarce delcev, in vzdržuje mikroskopsko ravnost.

V. Priporočila za vzdrževanje

1. Regularno preverite obrabo tesnilne površine (priporočljivo je četrtletni optični pregled mikroskopa), da se izognete nenadni odpovedi.  

2. Za odstranjevanje nahajališč uporabite posebna čistila (na primer brezvodni etanol) in prepovedujte mehansko brušenje, da preprečite poškodbe sic premaza.