Planetarni obspevnik Tac prevleka

V kraljestvu proizvodnje polprevodnikov ima ključno vlogo planetarni planetarni objekt TAC. Široko se uporablja pri rasti epitaksialnih plasti silicijevega karbida (sic) v opremi, kot je sistem Aixtron G5. Poleg tega, če se uporablja kot zunanji disk v nanašanju na prevleko Tantalum karbide (TAC) za Epitaxy SIC, planetarni obstreznik TAC zagotavlja bistveno podporo in stabilnost. Zagotavlja enakomerno odlaganje plasti karbida Tantalum, ki prispeva k tvorbi visokokakovostnih epitaksialnih plasti z odlično površinsko morfologijo in želeno debelino filma. Kemična inertnost TAC prevleke preprečuje neželene reakcije in kontaminacijo, ohranja celovitost epitaksialnih plasti in zagotavlja njihovo vrhunsko kakovost.

Izjemna toplotna prevodnost TAC prevleka omogoča učinkovit prenos toplote, kar spodbuja enakomerno porazdelitev temperature in zmanjšuje toplotni stres med procesom epitaksialne rasti. Posledica tega je proizvodnja visokokakovostnih Epitaksialnih plasti SIC z izboljšanimi kristalografskimi lastnostmi in izboljšano električno prevodnostjo.

Natančne dimenzije in zanesljiva konstrukcija planetarnega diska TAC olajšajo integracijo v obstoječe sisteme, kar zagotavlja brezhibno združljivost in učinkovito delovanje. Njegova zanesljiva zmogljivost in kakovostna TAC prevleka prispevata k doslednim in enotnim rezultatom v procesih Epitaxy SIC.

Zaupajte Vetek Semiconductor in naš planetarni disk TAC prevleke za izjemno uspešnost in zanesljivost v Epitaxy SIC. Izkusite prednosti naših inovativnih rešitev, ki vas postavljajo v ospredje tehnološkega napredka v industriji polprevodnikov.