Prah silicijevega karbida (SiC) visoke čistosti

Ključne značilnosti
• Čistost lahko doseže 99,9999 % — to je 6N

• Kovinske nečistoče so nizke

• Testni podatki GDMS so na voljo na zahtevo

• Obnašanje sublimacije ostaja dosledno od serije do serije

• Manjše tveganje kontaminacije med predelavo

• Porazdelitev velikosti delcev je nadzorovana

• Zahtevate lahko tudi velikost delcev po meri

• Nadzor kakovosti sledi standardom za polprevodnike

Razpon velikosti delcev:

Čistost prahu: 

Tehnične specifikacije:

Aplikacije

• SiC Single Crystal Growth (PVT)

• Prevodne in polizolacijske podlage iz SiC

• Polprevodniški materiali

• Napredna keramika

• Raziskave in razvoj

Zakaj izbrati VeTek Semiconductor?

• Napredna tehnologija čiščenja

• Polprevodniški nadzor kakovosti

• Možnosti velikosti delcev po meri

• Stabilna in zanesljiva oskrba

• Tehnična podpora za aplikacije za rast kristalov