SIC tesnilni del

SIC tesnilni del ima ključno vlogo pri predelavi polprevodnikov. Njegove odlične lastnosti materiala in zanesljiv učinek tesnjenja ne samo izboljšata učinkovitost proizvodnje, ampak tudi zagotavljata kakovost in varnost izdelka.

Glavne prednosti tesnilnega dela silicijevega karbida:

Odlična korozijska odpornost: Med naprednimi keramičnimi materiali ima lahko vekeksemi sic tesnilni del najboljšo korozijsko odpornost v kislih in alkalnih okoljih. Ta neprimerljiva korozijska odpornost zagotavlja, da lahko tesnilni del SIC učinkovito deluje v kemično korozivnem okolju, zaradi česar je nepogrešljiv material v panogah, ki so pogosto izpostavljene korozivnim snovi.

Lahka in močna: Silicijev karbid ima gostoto približno 3,2 g/cm³, in čeprav je lahek keramični material, je moč silicijevega karbida primerljiva z močjo diamanta. Ta kombinacija rahlosti in moči izboljšuje delovanje mehanskih komponent, s čimer se poveča učinkovitost in zmanjšuje obrabo v zahtevnih industrijskih aplikacijah. Lahka narava tesnilnega dela SIC olajša tudi lažje ravnanje in namestitev komponent.

Izjemno visoka trdota in visoka toplotna prevodnost: Silicijev karbid ima trdoto MOHS 9 ~ 10, primerljiv z diamantom. Ta lastnost v kombinaciji z visoko toplotno prevodnostjo (približno 120-200 W/m · K pri sobni temperaturi) omogoča, da SIC tesnila delujejo v pogojih, ki bi poškodovali inferiorne materiale. Odlične mehanske lastnosti SIC se vzdržujejo pri temperaturah do 1600 ° C, kar zagotavlja, da SIC tesnila ostanejo robustna in zanesljiva tudi pri visokotemperaturnih aplikacijah.

Visoka trdota in odpornost na obrabo: Za silicijevega karbida so značilne močne kovalentne vezi znotraj kristalne rešetke, kar mu daje visoko trdoto in velik elastični modul. Te lastnosti se prenašajo v odlično odpornost na obrabo, kar zmanjšuje verjetnost upogiba ali deformacije tudi po dolgotrajni uporabi. Zaradi tega je SIC odlična izbira za tesnilne dele SIC, ki so podvrženi neprekinjenemu mehanskemu stresu in abrazivnim stanjem.

Zaščitna tvorba plasti silicijevega dioksida: Ko je izpostavljen temperaturam približno 1300 ° C v okolju, bogatem s kisikom, silicijev karbid tvori zaščitni silicijev dioksid (SIO₂) plast na svoji površini. Ta plast deluje kot ovira, ki preprečuje nadaljnje oksidacijo in kemične interakcije. Kot sio₂Plast se zgosti, še dodatno ščiti osnovni sic pred drugimi reakcijami. Ta postopek oksidacije samoomejevanja daje SIC odlično kemično odpornost in stabilnost, zaradi česar so tesnila SIC primerna za uporabo v reaktivnih in visokotemperaturnih okoljih.

Vsestranskost v visokozmogljivih aplikacijah:Edinstvene lastnosti Silicon karbida so vsestranske in učinkovite v različnih visokozmogljivih aplikacijah. Od mehanskih tesnil in ležajev do toplotnih izmenjevalnikov in turbinskih komponent, sposobnost SIC tesnilnega dela, da zdrži ekstremne razmere in ohrani celovitost, je material, ki ga izbira v naprednih inženirskih rešitvah.

Vetek Semiconductor se je zavezal k zagotavljanju napredne tehnologije in rešitev izdelkov za industrijo polprevodnikov. Poleg tega vključujejo tudi naši izdelki SICSilicijev karbidni premaz, Keramika iz silicijevega karbidainPostopek sic epitaxyizdelki. Dobrodošli v nadaljnjem posvetovanju.

SEM podatki CVD SIC filmske kristalne strukture：