Izdelki
CVD SiC prevlečen grafitni susceptor za nosilec rezin
  • CVD SiC prevlečen grafitni susceptor za nosilec rezinCVD SiC prevlečen grafitni susceptor za nosilec rezin

CVD SiC prevlečen grafitni susceptor za nosilec rezin

VETEK CVD SiC Coated Graphite Susceptor for Wafer Carrier je visoko zmogljiva podporna komponenta za rezine, zasnovana za postopke epitaksije polprevodnikov. Izdelek kot substrat uporablja grafit visoke čistosti in je prevlečen z enotno plastjo silicijevega karbida (SiC) CVD, ki zagotavlja odlično toplotno stabilnost, kemično odpornost in nadzor delcev. Kot kritična komponenta grafitnega suceptorja neposredno podpira rezine v reakcijski komori in pomaga ohranjati enakomerno porazdelitev temperature in stabilne epitaksialne pogoje rasti.

1. Prednosti izdelka


  • Material visoke čistosti:Polprevodniški grafitni material in gosta SiC prevlečna struktura zmanjšata tveganje kontaminacije in izboljšata zanesljivost grafitnega suceptorja s CVD SiC prevleko.
  • Odlična toplotna enakomernost:Optimizirana grafitna struktura in prevleka SiC zagotavljata stabilen prenos toplote in enoten nadzor temperature rezin.
  • Vrhunska kemična odpornost:Gost SiC premaz ponuja močno odpornost proti procesnim plinom in korozivnim okoljem.
  • Dolga življenjska doba:Visoka trdota in odpornost proti obrabi izboljšata vzdržljivost pri visokotemperaturnih pogojih epitaksije.
  • Nizko nastajanje delcev:Gosta površina SiC CVD zmanjša sproščanje delcev in izboljša zanesljivost postopka rezin.
  • Zmogljivost oblikovanja po meri:Na voljo v različnih velikostih, strukturah in konfiguracijah glede na zahteve opreme.



2. Tehnične specifikacije

Postavka
Tipična vrednost
Material substrata
Grafit visoke čistosti
Material za prevleko
CVD silicijev karbid (SiC)
Čistost SiC
≥99,999 %
Debelina prevleke
100 ± 20 μm (prilagodljivo)
Enakomernost debeline premaza
Kontrolirano znotraj 10 μm med serijami
Gostota CVD SiC prevleke
3,21 g/cm³
Toplotna prevodnost
300 W/m·K
Koeficient toplotnega raztezanja
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Aplikacije


  • Postopek epitaksije SiC:Grafitni suceptor se uporablja kot nosilec rezin v opremi za epitaksijo SiC, ki podpira substrate SiC med visokotemperaturno epitaksialno rastjo.
  • Postopek silikonske epitaksije:Uporablja se v silicijevih epitaksialnih reaktorjih za podporo rezinam in vzdrževanje stabilnih toplotnih pogojev.
  • Epitaksija MOCVD:VETEK grafitni sprejemniki so primerni za MOCVD, LED epitaksijo, GaN epitaksijo, silicijevo epitaksijo in druge postopke izdelave polprevodnikov, ki zahtevajo odlično toplotno enakomernost in kemično stabilnost.
  • Oprema za proizvodnjo polprevodnikov:Združljiv z različnimi platformami za epitaksijo, vključno z vodoravnimi pečmi LPE, Aixtron, NuFlare in sorodno polprevodniško opremo.



4. Zakaj izbrati VETEK?

VETEK ponuja prilagojene rešitve za grafitne susceptorje, prevlečene s CVD SiC, ki vključujejo čiščenje grafita, natančno strojno obdelavo, CVD prevleke in zmogljivosti pregledovanja. Naše polprevodniške grafitne prijemalne izdelke odlikuje visoka čistost, enakomerna debelina prevleke, odlična toplotna zmogljivost in dolga življenjska doba za zahtevne aplikacije nosilca rezin.

Hot Tags: CVD SiC prevlečen grafitni sprejemnik, grafitni sprejemnik, SiC prevlečen grafitni nosilec rezin, polprevodniški epitaksijski sprejemnik, MOCVD grafitni sprejemnik, SiC nosilec rezin, CVD SiC grafitni sprejemnik
Pošlji povpraševanje
Kontaktne informacije
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Piškotke uporabljamo, da vam ponudimo boljšo izkušnjo brskanja, analiziramo promet na spletnem mestu in prilagodimo vsebino. Z uporabo te strani se strinjate z našo uporabo piškotkov. Politika zasebnosti
ZavrniSprejmi