Keramični disk aluminijevega nitrida

Vetek polprevodniški aluminijski nitridni keramični plošča je idealen izolacijski keramični produkt z visoko toplotno prevodnostjo, nizko razširitveno koeficient, visoko trdnost, visoko temperaturno odpornost, kemična korozijska odpornost, visoko upornost in nizko dielektrično izgubo. Keramika aluminijevega nitrida lahko nadomesti strupeno keramiko berilijevega oksida in se pogosto uporabljajo v elektronski industriji.

Prednost uspešnosti:

V primerjavi z aluminino keramiko ima aluminijev nitrid visoko toplotno prevodnost, pri 100 stopinjah Celzija, toplotna prevodnost je nad 170W/ m.k, toplotna prevodnost aluminijevega oksida pa je približno 15-35 W/ (M · K), aluminijev nitrid ni več kot 5-krat.

Trdota aluminijevega nitridnega keramičnega materiala je na splošno 9 MOHS trdote, kar pomeni, da je trdota aluminijeve nitridne keramike zelo visoka, druga le za diamant, v procesu polprevodniške embalaže, običajno aluminijeve nitridne keramične skodelice, ki se uporabljajo za dobro vodno vodnico in drugo ključno nestabilnost.

Linearni koeficient te vrste keramike je običajno v območju od 4 do 5 × 10^^-6/℃, zaradi česar se bolj ujema s koeficientom širitve kovinskih materialov, kar pomaga zmanjšati nastajanje stresa in thErmalni stres, ki ga povzročajo temperaturne spremembe.

Hkrati je upogibna trdnost aluminijeve nitridne keramike običajno med 300 in 700 MPa, kar je večje kot pri mnogih drugih keramičnih materialih, kot sta cirkonija in glinica.

Glede na temperaturo lahko aluminijeva keramida nitrida deluje stabilno v visokotemperaturnem okolju, njegova temperatura uporabe pa lahko doseže več kot 1500 ℃, kar je primerno za visoke temperaturne procese in aplikacije.

Poleg odpornosti na inertne pline ima aluminijev nitridni keramični disk odlično kemično stabilnost in visoko odpornost na korozivne medije, kot so kisline in alkalije, zaradi česar se pogosto uporabljajo v kemični industriji.

Keramični disk aluminijevega nitrida ima visoko upornost, običajno med 10^¹⁴in 10^¹⁵Ω · cm, ki je primeren za priložnosti, kjer so potrebne električne izolacijske lastnosti. Aluminijeva keramika nitrida ima zelo nizko dielektrično izgubo, kar pomeni, da se lahko izguba energije zmanjša v dielektričnih aplikacijah.

Območje prijave:

Polprevodniška embalaža: za moči module (na primer IGBT), nosilci čipov z visoko močjo, releje v trdnih stanju itd., Da zagotovijo učinkovito toplotno upravljanje 3410.

Elektronski substrat: Kot tanek film/debela filmska plošča podpira visoko natančno obdelavo (npr. Polivanje na RA 0,3 μm površinsko hrapavost) 410.

RF/mikrovalovne naprave: Značilnosti nizke dielektrične izgube (tanΔ ≤3 × 10⁻⁴, 1MHz), primerne za visokofrekvenčno vezje 1018.

Drugi industrijski scenariji: na primer deli opreme za vakuumsko prevleko, HIG

Storitve obdelave in prilagajanja

Natančna obdelava: Podporno rezanje, vrtanje, brušenje, poliranje (površinska hrapavost RA do 0,3 μm) in prilagojena struktura v posebni obliki 410.

Površinska obdelava: Sintralni substrat lahko ponovno obdelamo, da izboljšamo gladkost površine (npr. Od 30 mikroinčka RA do 1 mikroinčka RA) 4.

To polprevodnikTrgovine z izdelki iz aluminijevega nitrida: