Prevleka iz silicijevega karbida

VeTek Semiconductor je specializiran za proizvodnjo izdelkov iz ultra čistega silicijevega karbida, ti premazi so zasnovani za nanašanje na prečiščen grafit, keramiko in ognjevzdržne kovinske komponente.

Naši premazi visoke čistosti so namenjeni predvsem uporabi v polprevodniški in elektronski industriji. Služijo kot zaščitna plast za nosilce rezin, suceptorje in grelne elemente ter jih ščitijo pred jedkimi in reaktivnimi okolji, do katerih pride v procesih, kot sta MOCVD in EPI. Ti procesi so sestavni del obdelave rezin in izdelave naprav. Poleg tega so naši premazi zelo primerni za uporabo v vakuumskih pečeh in segrevanje vzorcev, kjer se srečujemo z visokim vakuumom, reaktivnim okoljem in okoljem s kisikom.

Pri VeTek Semiconductor ponujamo celovito rešitev z našimi naprednimi zmogljivostmi strojne delavnice. To nam omogoča izdelavo osnovnih komponent z uporabo grafita, keramike ali ognjevzdržnih kovin in lastno nanašanje keramičnih prevlek SiC ali TaC. Nudimo tudi storitve premazovanja delov, ki jih dobavljajo stranke, s čimer zagotavljamo prilagodljivost za izpolnjevanje različnih potreb.

Naši izdelki s premazom iz silicijevega karbida se pogosto uporabljajo v Si epitaksiji, SiC epitaksiji, sistemu MOCVD, procesu RTP/RTA, postopku jedkanja, postopku jedkanja ICP/PSS, procesu različnih vrst LED, vključno z modro in zeleno LED, UV LED in globokim UV LED itd., ki je prilagojen opremi LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI itd.

Deli reaktorja, ki jih lahko naredimo:

Prevleka iz silicijevega karbida ima več edinstvenih prednosti:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

Parameter prevleke iz silicijevega karbida VeTek Semiconductor

Osnovne fizikalne lastnosti CVD SiC prevleke
Lastnina	Tipična vrednost
Kristalna struktura	FCC β faza polikristalna, pretežno (111) usmerjena
SiC prevleka Gostota	3,21 g/cm³
SiC prevleka Trdota	2500 Vickers trdota（500g obremenitev）
Velikost zrn	2~10 μm
Kemijska čistost	99,99995 %
Toplotna zmogljivost	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura sublimacije	2700 ℃
Upogibna trdnost	415 MPa RT 4-točkovno
Youngov modul	430 Gpa 4-točkovni upogib, 1300 ℃
Toplotna prevodnost	300 W·m^-1·K^-1
Toplotna ekspanzija (CTE)	4,5×10-6K^-1

CVD SIC FILMA KRISTALNA STRUKTURA

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Epi suceptor, prevlečen s silicijevim karbidom SiC prevleka za rezine Satelitski pokrov s prevleko iz SiC za MOCVD CVD SiC Coating Wafer Epi Susceptor CVD SiC prevleka Grelni element Satelitski nosilec rezin Aixtron SiC Coating Epi sprejemnik SiC prevleka polmesečevih grafitnih delov

View as

Aixtron MOCVD receptor

Aixtron MOCVD za mocvd Vetek Semiconductor se uporablja v procesu nanašanja tankega filma v proizvodnji polprevodnikov, zlasti v procesu MOCVD. Vetek Semiconductor se osredotoča na proizvodnjo in dobavo visokozmogljivih izdelkov Aixtron MOCVD. Dobrodošli v vašem povpraševanju.

Poglej več >> Pošlji povpraševanje >>

Grafitni grelec iz silicijevega karbida keramičnega premaza

Vetek Semiconctor's Silicon karbid keramični grelec grafit je visokozmogljiv grelec, izdelan iz grafitnega substrata in prevlečen s silikonskim ogljikovim keramičnim (sic) prevleko na svoji površini. Ta izdelek s kompozitno zasnovo materiala ponuja odlične ogrevalne rešitve v proizvodnji polprevodnikov. Dobrodošli v vašem povpraševanju.

Poglej več >> Pošlji povpraševanje >>

Grelec za keramično prevleko iz silicijevega karbida

Silicijev grelec za keramično prevleko iz karbida je zasnovan predvsem za visoko temperaturo in ostro okolje iz proizvodnje polprevodnikov. Njegova zelo visoka tališče, odlična korozijska odpornost in izjemna toplotna prevodnost določajo nepogrešljivost tega izdelka v procesu proizvodnje polprevodnikov.

Poglej več >> Pošlji povpraševanje >>

Keramični premaz iz silicijevega karbida

Kot profesionalni proizvajalec in dobavitelj keramične prevleke iz silicijevega karbida na Kitajskem se keramični premaz simicijevega karbida Vetek Semicon karbid pogosto uporablja na ključnih sestavnih delih opreme za proizvodnjo polprevodnikov, zlasti kadar so vključeni procesi CVD in PECVD. Dobrodošli v vašem povpraševanju.

Poglej več >> Pošlji povpraševanje >>

Podpornik EPI

EPI obstrestnik je zasnovan za zahtevne uporabe epitaksialne opreme. Njegova grafitna struktura, prevlečena s silikonskim karbidom (SIC), ponuja odlično toplotno odpornost, enakomerno toplotno enotnost za konstantno debelino in odpornost na epitaksialno plast ter dolgotrajno kemično odpornost. Veselimo se sodelovanja z vami.

Poglej več >> Pošlji povpraševanje >>

Nosilec rezin sic prevleke

Kot profesionalni proizvajalec in dobavitelj nosilcev rezin sic, nosilni nosilci rezin SiC Semiconductor se uporabljajo predvsem za izboljšanje enakomernosti rasti epitaksialne plasti, kar zagotavlja njihovo stabilnost in celovitost v visoki temperaturi in korozivnem okolju.

Poglej več >> Pošlji povpraševanje >>

Kot profesionalec Prevleka iz silicijevega karbida proizvajalec in dobavitelj na Kitajskem imamo svojo tovarno. Ne glede na to, ali potrebujete prilagojene storitve, da zadovoljijo posebne potrebe vaše regije ali želite kupiti napredne in trajne Prevleka iz silicijevega karbida, narejene na Kitajskem, nam lahko pustite sporočilo.

koda QR

O nas

Izdelki

Kontaktiraj nas

Telefon
+86-18069220752
faks
+86-579-87223657
E-naslov
anny@veteksemi.com
Naslov
Wangda Road, Ulica Ziyang, okrožje Wuyi, mesto Jinhua, provinca Zhejiang, Kitajska

Spletni meni

Iskanje izdelkov

Jezik

Izhod iz menija

Prevleka iz silicijevega karbida

Deli reaktorja, ki jih lahko naredimo:

Prevleka iz silicijevega karbida ima več edinstvenih prednosti:

Parameter prevleke iz silicijevega karbida VeTek Semiconductor

CVD SIC FILMA KRISTALNA STRUKTURA

Aixtron MOCVD receptor

Grafitni grelec iz silicijevega karbida keramičnega premaza

Grelec za keramično prevleko iz silicijevega karbida

Keramični premaz iz silicijevega karbida

Podpornik EPI

Nosilec rezin sic prevleke

Pošlji povpraševanje

koda QR

O nas

Izdelki

Kontaktiraj nas

Telefon

faks

E-naslov

Naslov