Izdelki

Prevleka iz silicijevega karbida

VeTek Semiconductor je specializiran za proizvodnjo izdelkov iz ultra čistega silicijevega karbida, ti premazi so zasnovani za nanašanje na prečiščen grafit, keramiko in ognjevzdržne kovinske komponente.


Naši premazi visoke čistosti so namenjeni predvsem uporabi v polprevodniški in elektronski industriji. Služijo kot zaščitna plast za nosilce rezin, suceptorje in grelne elemente ter jih ščitijo pred jedkimi in reaktivnimi okolji, do katerih pride v procesih, kot sta MOCVD in EPI. Ti procesi so sestavni del obdelave rezin in izdelave naprav. Poleg tega so naši premazi zelo primerni za uporabo v vakuumskih pečeh in segrevanje vzorcev, kjer se srečujemo z visokim vakuumom, reaktivnim okoljem in okoljem s kisikom.


Pri VeTek Semiconductor ponujamo celovito rešitev z našimi naprednimi zmogljivostmi strojne delavnice. To nam omogoča izdelavo osnovnih komponent z uporabo grafita, keramike ali ognjevzdržnih kovin in lastno nanašanje keramičnih prevlek SiC ali TaC. Nudimo tudi storitve premazovanja delov, ki jih dobavljajo stranke, s čimer zagotavljamo prilagodljivost za izpolnjevanje različnih potreb.


Naši izdelki s premazom iz silicijevega karbida se pogosto uporabljajo v Si epitaksiji, SiC epitaksiji, sistemu MOCVD, procesu RTP/RTA, postopku jedkanja, postopku jedkanja ICP/PSS, procesu različnih vrst LED, vključno z modro in zeleno LED, UV LED in globokim UV LED itd., ki je prilagojen opremi LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI itd.


Deli reaktorja, ki jih lahko naredimo:


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


Prevleka iz silicijevega karbida ima več edinstvenih prednosti:

Silicon Carbide Coating several unique advantages



Parameter prevleke iz silicijevega karbida VeTek Semiconductor

Osnovne fizikalne lastnosti CVD SiC prevleke
Lastnina Tipična vrednost
Kristalna struktura FCC β faza polikristalna, pretežno (111) usmerjena
SiC prevleka Gostota 3,21 g/cm³
SiC prevleka Trdota 2500 Vickers trdota(500g obremenitev)
Velikost zrn 2~10 μm
Kemijska čistost 99,99995 %
Toplotna zmogljivost 640 J·kg-1·K-1
Temperatura sublimacije 2700 ℃
Upogibna trdnost 415 MPa RT 4-točkovno
Youngov modul 430 Gpa 4-točkovni upogib, 1300 ℃
Toplotna prevodnost 300 W·m-1·K-1
Toplotna ekspanzija (CTE) 4,5×10-6K-1

CVD SIC FILMA KRISTALNA STRUKTURA

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



View as  
 
Kot profesionalec Prevleka iz silicijevega karbida proizvajalec in dobavitelj na Kitajskem imamo svojo tovarno. Ne glede na to, ali potrebujete prilagojene storitve, da zadovoljijo posebne potrebe vaše regije ali želite kupiti napredne in trajne Prevleka iz silicijevega karbida, narejene na Kitajskem, nam lahko pustite sporočilo.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept