Dobrodošli kupci, da obiščejo Veteksemicon's SiC prevleka/ TAC prevleka in Epitaxy Process Factory

Stranke obiščejo tovarno: promovirajte novo poglavje sodelovanja

V zadnjem času smo zelo počaščeni, da smo prejeli pomembne stranke iz mnogih regij po vsem svetu, da obiščejo tovarno Vetek Semiconductor na Kitajskem. Ta obisk strankam ne omogoča le poglobljenega razumevanja naših tehnoloških inovacij in moči proizvodnje na področjuPostopek polprevodniškega epitaksijain polprevodniški premaz, hkrati pa še bolj poglobi naš zadružni odnos s strankami.

Kupci Veteksemican pregledajo podrobnosti o epitaksialnih obrobjih, prevlečenih s Tantalum karbidom

Tovarniški obisk: poglobljeno razumevanje proizvodnega procesa

Med obiskom so stranke pokazale veliko zanimanje za našeSilicijev karbidni premazinTantalum karbidni premazproizvodne linije. Naša ekipa za raziskave in razvoj je podrobno predstavila tehnične prednosti izdelkov in strog sistem za nadzor kakovosti. Kot vodilni proizvajalec prevleke za silicijevo karbid in prevleko za karbide Tantalum smo vedno zavezani, da bomo uporabili najbolj vrhunsko tehnologijo za oblikovanje in proizvodnjo izdelkov, da bi zagotovili, da vsaka komponenta ustreza mednarodnim standardom in lahko ustreza potrebam različnih kupcev.

Prikaz tehnologije: vodenje usmeritve razvoja industrije

Med obiskom je naše podjetje pokazalo najnovejše razvitoRešitev epitaksialnega procesa, pokrivanje celotnega postopka od zasnove, proizvodnje do kakovosti. Stranke so zelo prepoznale našo inovacijsko sposobnost in so polne pričakovanj o prihodnjem sodelovanju. Zlasti na področju aplikacij za polprevodniške prevleke Vetek Semiconductor nenehno spodbuja razvoj industrije s svojimi edinstvenimi tehničnimi prednosti in tržnimi vpogledi.

Prihodnji obeti: Poglobite sodelovanje in prihodnost win-win

Ta obisk stranke ni le priznanje naše proizvodne moči, ampak je tudi trden temelj za dolgoročno sodelovanje med obema stranema v prihodnosti. Verjamemo, da bomo s skupnimi prizadevanji obeh strank dosegli bolj plodne rezultate na področjuPostopek polprevodniškega epitaksijain polprevodniški premaz v prihodnosti.